80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET

1 Descriptif 

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception avancée de technologie de tranchée à grille divisée, fournissant un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques

● Faible résistance 

● Faibles capacités de transfert inverse 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

• Placage sans plomb/sans halogène/conforme RoHs

3 candidatures

● Application de commutation de puissance

● Convertisseurs DC-DC

● Contrôle complet du pont

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
80V	3,4 mΩ	100A