80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET
1 Beskrivning
Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad design med splite gate trench-teknologi, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lågt motstånd
● Låga omvända överföringskapacitanser
● 100 % enkelpuls lavinenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Applikationer
● Applikation för strömbrytare
● DC-DC-omvandlare
● Full kontroll över bryggan
| VDSS |
RDS(på)(TYP) |
ID |
| 80V |
3,4 mΩ |
100A |