ច្រកទ្វារ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
អ្នកនៅទីនេះ៖ ផ្ទះ » ផលិតផល » MOSFET » 12V-300V N MOS » 80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

ការផ្ទុក

ចែករំលែកទៅ៖
ប៊ូតុងចែករំលែក facebook
ប៊ូតុងចែករំលែក twitter
ប៊ូតុងចែករំលែកបន្ទាត់
ប៊ូតុងចែករំលែក wechat
linkedin ប៊ូតុងចែករំលែក
ប៊ូតុងចែករំលែក pinterest
ប៊ូតុងចែករំលែក whatsapp
ចែករំលែកប៊ូតុងចែករំលែកនេះ។

80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

Mosfets នៃមុខងារពង្រឹង N-channel ទាំងនេះបានប្រើការរចនាបច្ចេកវិជ្ជា splite gate trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការបញ្ចូលថ្មទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។
ភាពអាចរកបាន៖
បរិមាណ៖
  • DSP037N08N3

  • WXDH

  • DFN5*6-8

  • Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

  • 80V

  • 100A

80V / 3.4mΩ / 100A N-MOSFET


1 ការពិពណ៌នា 

Mosfets នៃមុខងារពង្រឹង N-channel ទាំងនេះបានប្រើការរចនាបច្ចេកវិជ្ជា splite gate trench កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវ Rdson ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងការបញ្ចូលថ្មទាប។ ដែលអនុលោមតាមស្តង់ដារ RoHS ។ 


2 លក្ខណៈពិសេស

● ធន់ទ្រាំទាប 

● សមត្ថភាពផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប 

● 100% ការធ្វើតេស្តថាមពល avalanche ជីពចរតែមួយ 

● 100% ΔVDS ការធ្វើតេស្ត 

  • ការផ្សាភ្ជាប់ដោយគ្មាន Pb/Halogen-Free/RoHs


3 កម្មវិធី

● កម្មវិធីប្តូរថាមពល

● ឧបករណ៍បំលែង DC-DC

● ការគ្រប់គ្រងស្ពានពេញលេញ



វីឌីអេសអេស RDS(បើក)(TYP) លេខសម្គាល់
80V 3.4mΩ 100A


មុន៖ 
បន្ទាប់៖ 
  • ចុះឈ្មោះសម្រាប់ព្រឹត្តិប័ត្រព័ត៌មានរបស់យើង។
  • ត្រៀមខ្លួនសម្រាប់
    ការចុះឈ្មោះនាពេលអនាគតសម្រាប់ព្រឹត្តិបត្ររបស់យើង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានថ្មីៗត្រង់ទៅកាន់ប្រអប់សំបុត្ររបស់អ្នក។