80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET

1 Опис 

У цих потужних МОП-транзісторах N-канального режиму покращення використовувалася передова конструкція технології розділеного затвора, яка забезпечувала чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості

● Низький опір 

● Низькі ємності зворотного перенесення 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини 

● 100% тест ΔVDS 

• Безсвинцеве покриття/без галогенів/відповідає RoHs

3 Додатки

● Програма для перемикання живлення

● DC-DC перетворювачі

● Повний контроль над мостом

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
80В	3,4 мОм	100А