80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

• Bleifreie Beschichtung/Halogenfrei/RoHs-konform

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendung

● DC-DC-Wandler

● Vollständige Brückenkontrolle

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
80V	3,4 mΩ	100A