80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET
1 ဖော်ပြချက်
ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● ခုခံမှုနည်းသည်။
● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်
● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု
● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု
3 လျှောက်လွှာများ
● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်း
● DC-DC ပြောင်းများ
● တံတားထိန်းချုပ်မှုအပြည့်
| VDSS |
RDS(ဖွင့်)(TYP) |
အမှတ်သညာ |
| 80V |
3.4mΩ |
100A |