ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ- အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » MOSFET » 12V-300V N MOS » 80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုကို မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာဒီဇိုင်းကိုအသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-
  • DSP037N08N3

  • WXDH

  • DFN5*6-8

  • Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf

  • 80V

  • 100A

80V/3.4mΩ/100A N-MOSFET


1 ဖော်ပြချက် 

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် splite gate trench နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 


အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● ခုခံမှုနည်းသည်။ 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

  • Pb-free အဖြစ်လည်းကောင်း၊ Halogen-Free/RoHs နှင့် ကိုက်ညီသည်။


3 လျှောက်လွှာများ

● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်း

● DC-DC ပြောင်းများ

● တံတားထိန်းချုပ်မှုအပြည့်



VDSS RDS(ဖွင့်)(TYP) အမှတ်သညာ
80V 3.4mΩ 100A


ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်