port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » 80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:

80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET


1 Beskrivelse 

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner

● Lav modstand 

● Lav omvendt overførselskapacitanser 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 

  • PB-fri plettering/halogenfri/ROHS-kompatibel


3 applikationer

● Applikation til strømskiftning

● DC-DC-konvertere

● Fuld brostyring



VDSS RDS (on) (typ) Id
80V 3,4mΩ 100a


Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke