DSE022N10N3 TO-263

100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET

1 Descrição 

Este MOSFET de potência de modo de aprimoramento de canal N utiliza tecnologia avançada Split Gate Trench, que fornece excelente Rdson e baixa carga de Gate ao mesmo tempo. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos

● Baixa resistência 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%

● Teste ΔVDS 100% 

• Revestimento sem Pb/sem halogênio/compatível com RoHs

  
  

3 aplicações 

● Aplicações de comutação de energia

● Conversores DC-DC

● Controle total da ponte

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
100 V	1,7 mΩ	240A