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DSE022N10N3 TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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  • DSE022N10N3

  • Wxdh

100 V/1,7MΩ/240A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 

  • Pb-freie Beschichtung/Halogenfrei/ROHS-konform


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● DC-DC-Konverter

● Vollbrückenkontrolle



VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 1,7 MΩ 240a


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