DSE022N10N3 TO-263

MOSFET N de 100 V/1,7 mΩ/240 A

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

• Revestimiento sin Pb/sin halógenos/cumple con RoHs

  
  

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC

● Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	1,7 mΩ	240A