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DSE022N10N3 TO-263

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
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  • DSE022N10N3

  • Wxdh

100V/1.7MΩ/240A N-MOSFET


1 descripción 

Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Bajo en resistencia 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 

  • Capazante sin PB/halógeno/ROHS


3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de encendido

● Convertidores DC-DC

● Control completo del puente



VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
100V 1.7 MΩ 240a


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