DSE022N10N3 ถึง -263

100V/1.7MΩ/240A N-MOSFET

1 คำอธิบาย 

โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFET นี้ใช้เทคโนโลยีการแยกเกตแบบแยกขั้นสูงซึ่งให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ

●ความต้านทานต่ำ 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%

●การทดสอบ 100% ΔVDS 

• มาตรฐานการชุบด้วยการชุบฟรี/ปลอดฮาโลเจน/ROHS

  
  

3 แอปพลิเคชัน 

●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน

●ตัวแปลง DC-DC

●การควบคุมบริดจ์เต็มรูปแบบ

VDSS	RDS (ON) (TYP)	รหัสประจำตัว
100V	1.7 MΩ	240A