Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
DSE022N10N3
WXDH
100V/1.7MΩ/240A N-MOSFET
1 Penerangan
MOSFET MOSFET Peningkatan N-Channel ini menggunakan teknologi parit gerbang yang maju, yang menyediakan caj RDSON dan gerbang rendah yang sangat baik pada masa yang sama. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
PBLING PERCUMA/HALOGEN-FREE/ROHS PB
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Penukar DC-DC
● Kawalan jambatan penuh
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
100V | 1.7 mΩ | 240a |
100V/1.7MΩ/240A N-MOSFET
1 Penerangan
MOSFET MOSFET Peningkatan N-Channel ini menggunakan teknologi parit gerbang yang maju, yang menyediakan caj RDSON dan gerbang rendah yang sangat baik pada masa yang sama. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
PBLING PERCUMA/HALOGEN-FREE/ROHS PB
3 aplikasi
● Aplikasi pensuisan kuasa
● Penukar DC-DC
● Kawalan jambatan penuh
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
100V | 1.7 mΩ | 240a |