未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом »» Продукция » МОСФЕТ » 12V-300V N MOS
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

12 В-300В N MOS

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
90A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHD80N08 TO-252B DHD80N08 До 252b 80 В 90A Устройство DHD80N08 Specification.pdf
60A 68V N-канальный режим режима мощности MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 До-220c 60 В 60A Устройство DH60N06 Спецификация+.pdf
96A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5X6-8L 30 В 96а Устройство DH030N03P Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U ПОТЕРИ 100 В 180a Устройство+DHS025N10U+Спецификация+v2.0.pdf
54a 30 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH060N03R DFN3 × 3-8L DH060N03R DFN3X3 30 В 54а Устройство DH060N03R Specification.pdf
60A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 До-220c 100 В 59а Устройство DH0159B76 Спецификация (1) .pdf
NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор 2SD882 до 126 2SD882 До 126 40 В 3A 英文版 D882 技术规格书 .pdf
300A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS010N04U TOLL Package DHS010N04U ПОТЕРИ 40 В 300а DHS010N04U_DATASHEET_V1.0.PDF
100A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5X6 40 В 100А Donghai DHS021N04P DataSheet v3.0.pdf
180A 85V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 До-220c 85 В 180a DHS020N88 & DHS020N88E & DHS020N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 До-220c 85 В 100А Устройство DHS065N85 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности Mosfet 68a 100V DH140N10D До 252b 100 В 68а DH140N10B & DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
200A 30 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH020N03D до 252B DH020N03D До 252b 30 В 200a Устройство DH020N03 (B39) Спецификация.pdf
19A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH300N08D до 252B DH300N08d До 252b 80 В 19а Устройство DH300N08 Specification.pdf
130A 100 В n-канальный режим улучшения режима мощности DHS037N10/ DHS037N10F/ DHS037N10E
120A 80 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C & TO-263 DSG047N08N3 До-220c 80 В 120a DSG047N08N3 & DSE047N08N3_DATASHEET_V1.0.PDF
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 18A 200V F640 TO-220F F640 До-220f 200 В 18а Устройство 640 Specification.pdf
130A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH025N04D до 252B DH025N04D До 252b 40 В 130a Устройство DH025N04 Specification.pdf
105A 40 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40 В 130a Устройство DH025N04 Specification.pdf
300A 100 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DSU021N10NA Пакет Toll Package DSU021N10NA ПОТЕРИ 100 В 300а Устройство+DSU021N10NA+Спецификация+Rev.1.0.pdf

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com