Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор » 12В-300В Н МОП
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

12 В-300 В Н МОП

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
25 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D25N10 TO-252B Д25Н10 ТО-252Б 100 В 25А Спецификация устройства 25Н10.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04D TO-252B DHS021N04D ТО-252Б 40В 120А Дунхай+DHS021N04D+Информация+V3.0.pdf
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL ДСУ011Н08Н3А ПОТЕРИ 85В 360А DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40 В/0,5 мОм/360AN-MOSFET DSU007N04NA Платный пакет ДСУ007Н04НА ПОТЕРИ 40В 360А DSU007N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
50 А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH150N12 TO-220C ДХ150Н12 ТО-220С 120 В 50А Спецификация устройства DH150N12.pdf
ДСЕ043Н14Н ТО-263 ДСЕ043Н14Н ТО-263 135 В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSG031N10N3 ТО-220C ДСГ031Н10Н3
100 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP018N04LA DFN5X6 ПАКЕТ ДСП018Н04ЛА DFN5X6 40В 100А  DSP018N04LA _DataSheet_V1.0.pdf
180 А, 135 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG045N14N TO-220 ДСГ045Н14Н ТО-220С 135 В 180А DSE043N14N&DSG045N14N_DataSheet_V3.0.pdf
DSU024N10N3A Платный пакет ДСУ024Н10Н3А ПОТЕРИ 100 В 272А DSU024N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
235А, 30 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DH012N03U, платный пакет ДХ012Н03У ПОТЕРИ 30В 235А Устройство+DH012N03U+Спецификация+V2.0.pdf
100 В 140 А N-МОП-транзистор DSG054N10N3 TO-220C ДСГ054Н10Н3 ТО-220С 100 В 140А DSG054N10N3&DSE054N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
105 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH025N04P DFN5X6 ДХ025Н04П ДФН5*6-8 40В 130А Спецификация устройства DH025N04.pdf
80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 ДСП037N08N3 ДФН5*6-8 80В 100А DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
ДСЕ022Н10Н3 ТО-263 ДСЕ022Н10Н3
50 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH50N15 TO-220C ДХ50Н15 ТО-220С 150 В 50А Спецификация устройства DH50N15.pdf
60A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DH50N06 TO-220C ДХ50Н06 ТО-220С 68В 60А Спецификация устройства DH50N06FZC.pdf
170 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP032N08NA DFN5X6 ДСП032Н08НА DFN5X6 85В 170А DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/1,7 мОм/240 А N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C ДСГ024Н10Н3 ТО-220С 100 В 240А DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
170 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSG030N10N3 TO-220C ДСГ030Н10Н3 ТО-220С 100 В 170А DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com