vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nahajate se tukaj: domov » Izdelki » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Paket:
V:
A:
IZBRANE PROIZVODNE LINIJE:

12V-300V N MOS

Slika Model Paket V A Podatkovni list Podrobnosti Povpraševanje Dodaj v košarico
116A 68V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DH070N07 TO-220C 70V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Podatkovni list_V1.0.pdf
96A 100V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specifikacija naprave DSP051N10N Rev.1.0.pdf
80A 60V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
112A 85V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85V 112A Naprava DHS043N85P Specifikacija-Rev.1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Podatkovni list_V1.0.pdf
120A 90V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Specifikacije naprave DH90N055R.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
220A 40V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Specifikacija naprave DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Specifikacije naprave DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Specifikacije naprave DH90N045RSM2.pdf
100A 30V N-kanalni način izboljšave MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
 N-kanalni način izboljšave moči MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Specifikacije naprave DSG059N15NA.pdf
120A 85V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85V 125A Naprava+DSG048N08N3+Specifikacija+Rev.1.0.pdf
18A 200V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Naprava D18N20 Specifikacija Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Podatkovni list_V1.0.pdf
9A 200V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9A Specifikacija naprave 630.pdf
 N-kanalni način izboljšave moči MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Podatkovni list_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40V 160A Specifikacija naprave 110N04.pdf
65A 30V N-kanalni način izboljšave moči MOSFET DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Specifikacije naprave DH033N03R.pdf

Video o izdelku

  • Prijavite se na naše glasilo
  • pripravite se na prihodnost,
    prijavite se na naše glasilo, da boste prejemali posodobitve neposredno v svoj nabiralnik