brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Specyfikacja urządzenia DH033N03(1).pdf
96A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specyfikacja urządzenia DSP051N10N Wersja 1.0.pdf
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
120A 90V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90 V 120A Specyfikacja urządzenia DH90N055R.pdf
112A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Specyfikacja urządzenia DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specyfikacja urządzenia DHP150N03(1).pdf
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DH90N045RSM2.pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Specyfikacja urządzenia DSG059N15NA.pdf
120A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSG048N08N3 TO-220C DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Urządzenie+DSG048N08N3+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A Donghai_DSD190N10L3&DSB190N10L3_Arkusz danych_V1.0.pdf
18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Specyfikacja urządzenia D18N20 Rev.1.0.pdf
9A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9A Specyfikacja urządzenia 630.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150A Donghai_DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
160A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D110N04 TO-252B D110N04 TO-252B 40 V 160A Specyfikacja urządzenia 110N04.pdf
90A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30 V 90A Urządzenie DH90N03 B17 Specyfikacja.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą