brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
47A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DH135N10P.pdf
310A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Specyfikacja urządzenia DH009N02.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Specyfikacja urządzenia DH025N03.pdf
40A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40A DHD80N03_Arkusz danych_V3.0.pdf
120A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specyfikacja urządzenia DH025N03P(1)(1).pdf
60A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Specyfikacja urządzenia DH081N03.pdf
50A 120 V tryb wzmocnienia kanału N moc MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50A Specyfikacja urządzenia DH150N12.pdf
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Specyfikacja urządzenia DHS020N04D.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68 V 60A Specyfikacja urządzenia 50N06B34.pdf
105A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68 V 105A Donghai+DHS055N07 i DHS055N07E+karta katalogowa+V2.0.pdf
35A 120 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35A Urządzenie+DSD270N12N3+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
220A 20V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20 V 220A Specyfikacja urządzenia DH009N02P.pdf
320A 20V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH009N02U
320A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specyfikacja urządzenia DH012N03.pdf
205A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specyfikacja urządzenia DHS025N88.pdf
80A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Specyfikacja urządzenia DH065N04.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200 V 110A DSN108N20N_Arkusz danych_V1.0.pdf
175A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Urządzenie+DSD040N08N3A+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą