未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

12V-300V N MOS

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
NPN Epitaksialny tranzystor krzemu 2SD882 do 126 2SD882 Do 126 40v 3a 英文版 D882 技术规格书 .pdf
300A 40 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS010N04U Pakiet opłat DHS010N04U MYTO 40v 300A DHS010N04U_DATASHEET_V1.0.PDF
100A 40V NIC CANLEMENT MOC MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P DFN5x6 40v 100a Donghai DHS021N04P DataSheet v3.0.pdf
180A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 To-220C 85 V. 180a DHS020N88 i DHS020N88E i DHS020N88I_DATASHEET_V2.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 To-220C 85 V. 100a Urządzenie DHS065N85 Specyfikacja. PDF
60A 68V Tryb wzmocnienia N-Kananela MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 To-220C 60 V. 60a Urządzenie DH60N06 Specyfikacja+.pdf
210A 60 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 To-220C 60 V. 180a Urządzenie N6005B40 Specyfikacja.pdf
240A 85 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DHS020N88U Pakiet opłat DHS020N88U MYTO 85 V. 285a DHS020N88U_DATASHEET_V2.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 180A 100V DHS025N10U TOLL DHS025N10U MYTO 100 V. 180a Urządzenie+DHS025N10U+Specyfikacja+v2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 100A 68V DH060N07B TO-251B DH060N07B TO-251B 68v 100a Urządzenie DH060N07D Specyfikacja. PDF
Tryb wzmocnienia kanału N 80A 80V MOSFET DHD80N08 do 252b DHD80N08 TO-252B 80v 90a Urządzenie DHD80N08 Specyfikacja.pdf
130A 40V NEC CANLECTEMENT MOC MOSFET DH025N04D TO-252B DH025N04D TO-252B 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
105A 40V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH025N04P DFN5X6 DH025N04P DFN5*6-8 40v 130a Urządzenie DH025N04 Specyfikacja.pdf
300A 100 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET DSU021N10NA Pakiet opłat DSU021N10NA MYTO 100 V. 300A Urządzenie+DSU021N10NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
60A 68 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH50N06 TO-220C DH50N06 To-220C 68v 60a Urządzenie DH50N06FZC Specyfikacja. PDF
Tryb wzmacniający kanał N 80A 80 V MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 To-220C 80v 80a Urządzenie DH80N08 B22 Specyfikacja.pdf
61A 60 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 To-220C 60 V. 61a Urządzenie DH16N06 Specyfikacja.pdf
80A 68V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 To-220C 68v 80a Urządzenie DH072N07 Specyfikacja.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100 V. 68a DH140N10B i DH140N10D_DATASHEET_V1.0.PDF
200A 30 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30 V. 200a Device DH020N03 (B39) Specyfikacja. PDF

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com