未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
170 A, 30 V, tryb wzmocnienia kanału N, moc MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
100A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Urządzenie+DHS065N10+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
110A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A DH065N06D_Arkusz danych_V2.0.pdf
155A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specyfikacja urządzenia DH035N04.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
140A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Specyfikacja urządzenia DHP035N04.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specyfikacja urządzenia DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
100A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DH85N08.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A DH140N10B i DH140N10D_Arkusz danych_V1.0.pdf
49A 80V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specyfikacja urządzenia DH116N08.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS052N10.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Specyfikacja urządzenia DH8004 (2).pdf
12A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specyfikacja urządzenia DH850N10D (1).pdf
30A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specyfikacja urządzenia DH081N03R.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
30A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30A Specyfikacja urządzenia DHZ24B31.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com