未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
20A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A DHS400N10D_Andmeleht_V2.0 .pdf
120A 98V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Seadme DHS046N10 spetsifikatsioon.pdf
220A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA KUNI -220C 40V 220A Seadme DTE025N04NA&DTG025N04NA spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
100A 100V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DHS065N10 KUNI -220C 100V 95A Seade+DHS065N10+Spetsifikatsioon+Rev.2.0.pdf
155A 40V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 KUNI -220C 40V 155A Seadme DH035N04 spetsifikatsioon.pdf
110A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A DH065N06D_Andmeleht_V2.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 KUNI -220C 85V 120A Seadme DHS045N88 spetsifikatsioon-Rev.1.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Seadme DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
140A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Seadme DHP035N04 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Seadme DHS045N88 spetsifikatsioon-Rev.1.0.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Seadme DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
100A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 KUNI -220C 85V 100A Seadme DH85N08 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 68A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
49A 80V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Seadme DH116N08 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Seadme DH8004 spetsifikatsioon (2).pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Seadme DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
30A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Seadme DH081N03R spetsifikatsioon.pdf
12A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Seadme DH850N10D spetsifikatsioon (1).pdf
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A DH105N07P_Andmeleht_V1.0 (1).pdf
30A 60V N-kanali laiendusrežiim Toide MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Seadme DHZ24B31 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com