未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

12V-300V N MOS

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
80A 85V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHS065N85P DFN5*6-8 DHS065N85P Dfn5*6-8 85 V 80A Seade DHS065N85P spetsifikatsioon.pdf
120A 85V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85 V 120A Seade DHS045N85 SPECIFICATION-REV.2.0.pdf
150 V/9,5MΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+andmeleht+V1.0.pdf
50A 200V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET F50NN20 F50n20 TO-220F 200 V 50A Seade F50N20 spetsifikatsioon (1) .pdf
100 V/15MΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A DSD190N10L3 & DSB190N10L3_DATASHEET_V1.0.pdf
100A 30 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
N-kanali suurendamise režiimi võimsus MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150A DHS042N15 & DHS042N15E_DATASHEET_V2.0 (1) .pdf
18a 200V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18a Seade D18N20 spetsifikatsioon Rev.1.0.pdf
9a 200V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9a Seade 630 spetsifikatsioon.pdf
120A 98V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Seade DH90N045RSM2 spetsifikatsioon.pdf
112a 68V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112a DH100N06_DATASHEET_V3.0.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Seade DSG059N15NA spetsifikatsioon.pdf
175A 80 V N-kanali tugevdamisrežiim Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DATASHEET_V2.0.pdf
180A 100 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10na TO-263 100 V 180A Seade+DSE026N10NA & DSG028N10NA+SPEPICATIFICHIFICATION+REV.1.0.pdf
12A 60 V N-kanaliga tugevdusrežiimi võimsus MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12a Seade D12N06 spetsifikatsioon (TO-252B) .pdf
170A 40V N-kanali parendamisrežiim MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P Dfn5*6-8 40 V 170A Seade DHS020N04P spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
80A 40V N-kanali parendamisrežiim Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 pakett DH045N04P Dfn5x6 40 V 80A Seade DH045N04P spetsifikatsioon (1) .pdf
N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C DHS065N85 TO-220C 85 V 100A Seade DHS065N85 spetsifikatsioon.pdf
60A 68V N-kanali parendamise režiim MOSFET DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Seade DH60N06 spetsifikatsioon+.pdf
210A 60 V N-kanali parendamisrežiim MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60 V 180A Seade n6005b40 spetsifikatsioon.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com