未命名 (1) (8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » Mosfet » 12 V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
Valitut tuotelinjat:

12 V-300V N MOS

Kuvamallipaketti ​ ​ v taulutaulutiedot ​ Kysely koriin Lisää
81A 80V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81a Laite DH060N08 Specification.pdf
140A 85 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D
150 V/9,5MΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52a Donghai+DHS110N15F+Tietotapa+v1.0.pdf
50A 200 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50a Laite F50N20 -määritys (1) .pdf
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 150A 150V DSG059N15NA TO-220C Dsg059n15na TO-220C 150 V 150a Laite dsg059n15na spesifikaatio.pdf
100 V/15MΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50a Dsd190n10l3 & dsb190n10l3_datasheet_v1.0.pdf
100A 30 V N-kanavan parannusmoodi MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150a DHS042N15 & DHS042N15E_DataSheet_v2.0 (1) .pdf
18A 200 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18a Laite D18N20 Specification Rev.1.0.pdf
9A 200 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D630 TO-252B D630 TO-252B 200 V 9a Laite 630 Specification.pdf
120A 98V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120a Laite DH90N045RSM2 Specification.pdf
112A 68V N-kanavan parannusmoodi MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112a Dh100n06_datasheet_v3.0.pdf
80A 40V N-kanavan parannustila Power MOSFET DH045N04P DFN5X6 -paketti DH045N04P Dfn5x6 40 V 80a Laite DH045N04P -määritys (1) .pdf
175A 80V N-kanavan parannustila Power MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175a DHS035N88 & DHS035N88E & DHS035N88I_DataSheet_v2.0.pdf
180a 100v N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100 V 180a Laite+DSE026N10NA & DSG028N10NA+Specification+Rev.1.0.pdf
12A 60V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12a Laite D12N06 -määritys (TO-252B) .pdf
170A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P Dfn5*6-8 40 V 170a Laite DHS020N04P Specification Rev.2.0.pdf
300A 40V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET DHS010N04U TULLIKKO PAKKAUS DHS010N04U Tietullit 40 V 300A Dhs010n04u_datasheet_v1.0.pdf
100A 40V N-kanavan parannusmoodi MOSFET DHS021N04P DFN5X6 DHS021N04P Dfn5x6 40 V 100a Donghai DHS021N04P Datalet v3.0.pdf
180A 85V N-kanavan parannusmoodi MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85 V 180a DHS020N88 & DHS020N88E & DHS020N88I_DataSheet_v2.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Rekisteröidy uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaisuuteen
    rekisteröidy uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan postilaatikkoosi
    Lähettää
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd -teknologia by Leang.com