未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA -220C 200V 110A DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Laite DTE025N04NA&DTG025N04NA Tekniset tiedot Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Laite DH033N03 Specification(1).pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TULLI DSU035N10N3A TOLL 100V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 -220C 100V 180A Laite+DHS035N10&DHS035N10E+Specification+Rev.1.0 (1).pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Laite 50N06B34 Specification.pdf
110A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Laite DHS055N85 Specification.pdf
238A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Laite DH026N06 Specification.pdf
105A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+DataSheet+V2.0 .pdf
80A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Laite DH072N07 Specification.pdf
116A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH070N07 -220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
80A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Laite DH072N07 Specification.pdf
100A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A  DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
116A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH070N06 -220C 60V 88A Laitteen DH070N06 Specification(2).pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 -220C 80V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
20A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com