未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
35 A 120 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Laite+DSD270N12N3+Specification+Rev.1.0.pdf
49A 80V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Laite DH116N08 Specification.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
12A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Laitteen DH850N10D tekniset tiedot (1).pdf
30A 60V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Laite DHZ24B31 Specification.pdf
140A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Laite DHP035N04 Specification.pdf
25A 100V N-kanavainen lisätila teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
47A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Laitteen DH135N10P Specification.pdf
40A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Laite DH025N03P Specification(1)(1).pdf
50A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Laite DH150N12 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 -220C 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
N-kanavan parannustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Laite DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 68A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
20A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com