未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOS 12V-300V N

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 120A 90V DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Especificación del dispositivo DH90N055R.pdf
100V/5.2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 108A 85V DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Especificación del dispositivo DH033N03(1).pdf
MOSFET de potencia DTE025N04NA TO-263 del modo de mejora del canal N de 220A 40V DTE025N04NA A-263 40V 220A Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
100V/2.9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PEAJE DSU035N10N3A PEAJE 100V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 100V DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Dispositivo+DHS035N10 y DHS035N10E+Especificación+Rev.1.0 (1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 110A 85V DHS055N85E TO-263 DHS055N85E A-263 85V 110A Especificación del dispositivo DHS055N85.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 238A 60V DH026N06E TO-263 DH026N06E A-263 60V 238A Especificación del dispositivo DH026N06.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 105A 68V DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B y DHS055N07D+Hoja de datos+V2.0 .pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07E TO-263 DH072N07E A-263 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N07 TO-220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 68V DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A  DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N06 TO-220C 60V 88A Especificación del dispositivo DH070N06(2).pdf
100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N A-247 100V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 80V DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 30V DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 175A 80V DHS035N88E TO-263 DHS035N88E A-263 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com