未命名(1)(8) (1)
puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

MOS 12V-300V N

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
100V/2.9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A PEAJE DSU035N10N3A PEAJE 100V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 116A y 68 V DH070N06 TO-220C 60V 88A Especificación del dispositivo DH070N06(2).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 100A 68V DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 40V DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Especificación del dispositivo DH065N04.pdf
100V/1.5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N A-247 100V 240A Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 85A 80V DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 205A 85V DHS025N88 TO-263 DHS025N88E A-263 85V 205A Especificación del dispositivo DHS025N88.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 40V DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Dispositivo DHS020N04P Especificación Rev.2.0.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 85V DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Especificación del dispositivo DH85N08.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 175A 80V DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 49A y 80 V DH116N08D TO-252B 80V 49A Especificación del dispositivo DH116N08.pdf
Paquete de TOLL MOSFET DHS020N88U de potencia de modo de mejora de canal N de 240A y 85V DHS020N88U PEAJE 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de potencia D12N06 TO-252 del modo de mejora del canal N de 12A 60V D12N06 TO-252B 60V 12A Especificación del dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 30A 30V DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Especificación del dispositivo DH081N03R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 20A 100V DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A Donghai_DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 170A 30V DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 98V DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Especificación del dispositivo DHS046N10.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 310A 20V DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Especificación del dispositivo DH009N02.pdf
MOSFET de potencia DTG025N04NA TO-220C del modo de mejora del canal N de 220A 40V DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Dispositivo DTE025N04NA y DTG025N04NA Especificación Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 100 V DHS065N10 TO-220C 100V 95A Dispositivo+DHS065N10+Especificación+Rev.2.0.pdf

Vídeo del producto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada
    Entregar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnología por leadong.com