49A 80V N-Canal Modo de mejora MOSFET
1 descripción
Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
● Sistema de gestión de inversores
● Herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
VDSS |
RDS (ON) (typ) |
IDENTIFICACIÓN |
80V |
11.6 MΩ |
49A |