49 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH116N08D TO-252B

49 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
80V	11,6 mΩ	49A