49A 80V N-kanal förbättringsläge Power MOSFET DH116N08D TO-252B

49A 80V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 

2 funktioner 

● Låg motstånd 

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer

● Power Switching -applikationer

● Inverterhanteringssystem 

● Elektriska verktyg 

● Automotive Electronics

Vds	Rds (on) (typ)	Id
80v	11,6 MΩ	49a