未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
120A 90V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Specifikace zařízení DH90N055R.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Specifikace zařízení DH033N03(1).pdf
220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40V 220A Specifikace zařízení DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A MÝTNÉ 100V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A Zařízení+DHS035N10&DHS035N10E+Specifikace+Rev.1.0 (1).pdf
110A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Specifikace zařízení DHS055N85.pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Specifikace zařízení 50N06B34.pdf
105A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+DataSheet+V2.0 .pdf
80A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
238A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A Specifikace zařízení DH026N06.pdf
80A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
Výkonový MOSFET 116A 68V N-channel Enhancement Mode DH070N07 TO-220C 70V 100A DH070N07(T0F)_Datový list_V1.0.pdf
100A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A  DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
Výkonový MOSFET 116A 68V N-channel Enhancement Mode DH070N06 TO-220C 60V 88A Specifikace zařízení DH070N06(2).pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
20A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100V 20A DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com