未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 40A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N03 TO-252B

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

40A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DHD80N03 TO-252B

Tyto výkonové mosfety s vylepšeným režimem N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidat do košíku

40A 30V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET

1 Popis


Tyto výkonové mosfety s vylepšeným režimem N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízký odpor 

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS


3 Aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém řízení měniče 

● Elektrické nářadí 

● Automobilová elektronika



VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
30V 5,2 mΩ 40A


Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com