未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
220A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Špecifikácia zariadenia DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Zariadenie DH033N03 Špecifikácia(1).pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A TOLL 100 V 190A DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180A Zariadenie+DHS035N10&DHS035N10E+Špecifikácia+Rev.1.0 (1).pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Zariadenie 50N06B34 Špecifikácia.pdf
110A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A Špecifikácia zariadenia DHS055N85.pdf
238A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Zariadenie DH026N06 Špecifikácia.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+DataSheet+V2.0 .pdf
80A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A Zariadenie DH072N07 Špecifikácia.pdf
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N07 TO-220C 70 V 100A DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
80A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Zariadenie DH072N07 Špecifikácia.pdf
100A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68V 100A  DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
116A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH070N06 TO-220C 60 V 88A Špecifikácia zariadenia DH070N06(2).pdf
85A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240A DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
20A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20A DHS400N10D_Datasheet_V2.0 .pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com