未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
49A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 80 V DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specifikimi i pajisjes DH116N08.pdf
35A 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120 V 35A Pajisje+DSD270N12N3+Specifikim+Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 320A me fuqi MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30 V 320A Specifikimi i pajisjes DH012N03.pdf
12A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specifikimi i pajisjes DH850N10D (1).pdf
60A 68V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Fletë e të dhënave_V1.0 (1).pdf
30A 60 V-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30 A Specifikimi i pajisjes DHZ24B31.pdf
140A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140 A Specifikimi i pajisjes DHP035N04.pdf
25A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150 A Specifikimi i pajisjes DH025N03.pdf
47A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Specifikimi i pajisjes DH135N10P.pdf
40A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40 A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Specifikimi i pajisjes DH025N03P(1)(1).pdf
50A 120V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120 V 50 A Specifikimi i pajisjes DH150N12.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Sheet_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180 A Specifikimi i pajisjes DH8004 (2).pdf
170A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com