未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A DSG108N20NA_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
108A 85 V-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A DHS042N85P_Fletë e të dhënave_v1.0.pdf
100V/5,2mΩ/95A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A DSP070N10L3A_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 220A 40 V Fuqia MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Specifikimi i pajisjes DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Specifikimi i pajisjes DH033N03(1).pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A TOLL 100 V 190 A DSU035N10N3A_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
180A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180 A Device+DHS035N10&DHS035N10E+Specification+Rev.1.0 (1).pdf
60A 68V 68V-kanal N e përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68 V 60 A Specifikimi i pajisjes 50N06B34.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 110A 85 V Fuqia MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS055N85.pdf
80A 68V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
238A 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Specifikimi i pajisjes DH026N06.pdf
105A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68 V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Fletë të dhënash+V2.0 .pdf
116A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH070N07 TO-220C 70 V 100A DH070N07(T0F)_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
80A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
100A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68 V 100A  DHS031N07P_Fletë e të dhënave_V2.0 .pdf
116A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH070N06 TO-220C 60 V 88A Specifikimi i pajisjes DH070N06(2).pdf
85A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240 A DSC018N10N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
175A 80V N-kanal N-Rritjes Modaliteti Fuqia MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175A DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
20A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20 A DHS400N10D_Fletë e të dhënave_V2.0 .pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com