未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
170A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS046N10.pdf
220A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40 V 220A Specifikimi i pajisjes DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
MOSFET me fuqi 100A 100 V të modalitetit të përmirësimit të kanaleve N DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Device+DHS065N10+Specification+Rev.2.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 110A 60 V me fuqi MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60 V 110A DH065N06D_Fletë e të dhënave_V2.0.pdf
155A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40 V 155A Specifikimi i pajisjes DH035N04.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
140A 40V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140 A Specifikimi i pajisjes DHP035N04.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85 V 120A Specifikimi i pajisjes DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
100A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specifikimi i pajisjes DH85N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A DH140N10B&DH140N10D_Sheet_V1.0.pdf
49A MOSFET i fuqisë së modalitetit të përmirësimit të kanalit N 80 V DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specifikimi i pajisjes DH116N08.pdf
Modaliteti i përmirësimit me kanal N Fuqia MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180 A Specifikimi i pajisjes DH8004 (2).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N Fuqia MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS052N10.pdf
30A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30 A Specifikimi i pajisjes DH081N03R.pdf
60A 68V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A DH105N07P_Fletë e të dhënave_V1.0 (1).pdf
12A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Specifikimi i pajisjes DH850N10D (1).pdf
30A 60 V-kanal N-Rritjes Modaliteti i fuqisë MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30 A Specifikimi i pajisjes DHZ24B31.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com