8N65 TO-220C

7.5A 650V 650 V Modaliteti i Përmirësimit të Fuqisë MOSFET

1 Përshkrimi 

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS.

2.Veçori

● Ndërrimi i shpejtë 

● Aftësia e përmirësuar ESD 

● Rezistencë e ulët (Rdson≤1,4Ω)

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 24nC) 

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 5,5 pF) 

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm 

● Test 100% ΔVDS 

3 Aplikacionet 

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë. 

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit.

VDSS	RDS(aktiv) (TYP)	ID
650 V	1.2 mΩ	7.5A