8N65 TO-220C

7.5A 650V N-Channel MODE MOSFET

1 περιγραφή 

Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS.

2. Επέκριψη

● Γρήγορη εναλλαγή 

● βελτιωμένη ικανότητα ESD 

● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤1,4Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 24NC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (τύπος: 5.5pf) 

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.