8N65 TO-220C

7.5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan 

Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.

2.Feature

● Pertukaran cepat 

● Keupayaan ESD yang lebih baik 

● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤1.4Ω)

● Caj Gate Rendah (typ: 24nc) 

● Kapasiti pemindahan terbalik rendah (typ: 5.5pf) 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100% 

● Ujian 100% Δvds 

3 aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.