8N65 HINGGA-220C

7.5A 650V N-saluran Mod Peningkatan Kuasa MOSFET

1 Penerangan 

Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.

2.Ciri

● Penukaran pantas 

● ESD meningkatkan keupayaan 

● Rintangan rendah (Rdson≤1.4Ω)

● Caj pintu rendah (Jenis: 24nC) 

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 5.5pF) 

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 

3 Aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	1.2mΩ	7.5A