8N65 TO-220C

7.5A 650V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanallı gelişmiş vdmosfet'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknolojiyle elde edilir. RoHS standardına uygundur.

2.Özellik

● Hızlı geçiş 

● ESD'nin geliştirilmiş kapasitesi 

● Düşük direnç (Rdson≤1,4Ω)

● Düşük geçit şarjı (Tip: 24nC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (Tip: 5,5pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
650V	1.2mΩ	7,5A