8n65 TO-220C

7.5A 650V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.

2. Özellik

● Hızlı anahtarlama 

● ESD Geliştirilmiş özellik 

● Direnç düşük (RDSON≤1.4Ω)

● Düşük kapı şarjı (tip: 24NC) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 5.5pf) 

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörünün güç anahtarı devresi.