8N65 TO-220C

7.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย 

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS

2.คุณลักษณะ

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD 

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤1.4Ω)

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 24nC) 

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 5.5pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน 

● ใช้ในวงจรสวิตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น 

● วงจรสวิตช์เปิด/ปิดของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
650V	1.2mΩ	7.5A