Elérhetőség: | |
---|---|
mennyiség: | |
8N65
WXDH
7.5A 650 V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2.Fényezés
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,4Ω)
● Alacsony kapu töltés (typ: 24nc)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 5.5pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 1,2mΩ | 7.5A |
7.5A 650 V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2.Fényezés
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤1,4Ω)
● Alacsony kapu töltés (typ: 24nc)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 5.5pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 1,2mΩ | 7.5A |