| Elérhetőség: | |
|---|---|
| Mennyiség: | |
8N65
WXDH
7.5A 650V N-csatornás továbbfejlesztett módú táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2.Funkció
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,4Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 24nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 5,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 650V | 1,2 mΩ | 7,5A |
7.5A 650V N-csatornás továbbfejlesztett módú táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2.Funkció
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,4Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 24nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 5,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
| VDSS | RDS(be)(TYP) | ID |
| 650V | 1,2 mΩ | 7,5A |




