8n65 سے -220C

7.5A 650V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

1 تفصیل 

یہ این چینل بڑھائے گئے VDMOSFETs ، خود سے منسلک پلانر ٹکنالوجی کے ذریعہ حاصل کیا جاتا ہے جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتا ہے ، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتا ہے اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتا ہے۔ جو ROHS معیار کے ساتھ معاہدہ کرتا ہے۔

2. فیچر

● تیز سوئچنگ 

● ESD میں بہتری کی صلاحیت 

resistance کم مزاحمت (rdson≤1.4ω)

● کم گیٹ چارج (ٹائپ: 24 این سی) 

relu کم ریورس ٹرانسفر کیپسیٹینسیس (ٹائپ: 5.5pf) 

● 100 ٪ سنگل پلس برفانی تودے کا ٹیسٹ 

● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ 

3 درخواستیں 

system سسٹم منیٹورائزیشن اور اعلی کارکردگی کے لئے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔ 

● الیکٹران گٹی اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔