8N65 TO-220C

7,5 A 650 V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET

1 Opis 

Ovi N-kanalni poboljšani vdmosfeti dobiveni su samoporavnanom planarnom tehnologijom koja smanjuje gubitak vodljivosti, poboljšava izvedbu prebacivanja i povećava energiju lavine. Što je u skladu s RoHS standardom.

2.Značajka

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšana sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤1,4Ω)

● Nizak naboj vrata (tip: 24 nC) 

● Niski kapaciteti obrnutog prijenosa (tip: 5,5 pF) 

● 100% ispitivanje energije lavine jednog pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 Prijave 

● Koristi se u različitim strujnim sklopovima za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug prekidača napajanja elektronskog balasta i adaptera.

VDSS	RDS(uključen)(TYP)	ID
650V	1,2 mΩ	7.5A