未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pachet:
V:
O:
LINII DE PRODUSE SELECTATE:

12V-300V N MOS

Imagine Model Pachet V A Fișă tehnică Detalii Cerere Adaugă la coș
170A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
120A 98V N-canal Mod îmbunătățire MOSFET de putere DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Specificația dispozitivului DHS046N10.pdf
220A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Dispozitiv DTE025N04NA&DTG025N04NA Specificații Rev.1.0.pdf
100A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N10 TO-220C 100V 95A Dispozitiv+DHS065N10+Specificație+Rev.2.0.pdf
110A 60V N-canal Mod îmbunătățire MOSFET de putere DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A DH065N06D_Fișă de date_V2.0.pdf
155A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH035N04 TO-220C DH035N04 TO-220C 40V 155A Specificația dispozitivului DH035N04.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Specificația dispozitivului DHS052N10.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Dispozitiv DHS045N88 Specificație-Rev.1.0.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Dispozitiv DHS045N88 Specificație-Rev.1.0.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Specificația dispozitivului DHS052N10.pdf
140A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Specificația dispozitivului DHP035N04.pdf
100A 85V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Specificația dispozitivului DH85N08.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Fișă de date_V1.0.pdf
49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Specificația dispozitivului DH116N08.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Specificația dispozitivului DHS052N10.pdf
Modul de îmbunătățire canal N MOSFET de putere 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Specificația dispozitivului DH8004 (2).pdf
30A 30V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specificația dispozitivului DH081N03R.pdf
60A 68V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A DH105N07P_Fișă de date_V1.0 (1).pdf
12A 100V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Specificația dispozitivului DH850N10D (1).pdf
30A 60V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Specificația dispozitivului DHZ24B31.pdf

Video de produs

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com