ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
20A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D ТО-252Б 100В 20А Donghai_DHS400N10D_Таблиця даних_V2.0 .pdf
120A 98V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D ТО-252Б 98В 120А Специфікація пристрою DHS046N10.pdf
220A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA ДО-220С 40В 220А Специфікація пристрою DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
100A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS065N10 ДО-220С 100В 95А Пристрій+DHS065N10+Специфікація+Ред.2.0.pdf
155A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 ДО-220С 40В 155А Специфікація пристрою DH035N04.pdf
110A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D ТО-252Б 60В 110А Donghai_DH065N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100 В/2,9 мОм/190 А N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A ПЛАТА 100В 190А Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
116A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH070N06 ДО-220С 60В 88A Специфікація пристрою DH070N06(2).pdf
100A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68В 100А Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
100 В/1,5 мОм/240 А N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N ТО-247 100В 240А Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
85A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 ДО-220С 80В 95А Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
DH030N03
180A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 ДО-220С 100В 180А Пристрій+DHS035N10&DHS035N10E+Специфікація+Ред.1.0 (1).pdf
110A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E ТО-263 85В 110А Специфікація пристрою DHS055N85.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 ТО-252Б 68В 60А Специфікація пристрою 50N06B34.pdf
238A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E ТО-263 60В 238A Специфікація пристрою DH026N06.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D ТО-252Б 68В 95А Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Технічні дані+V2.0 .pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E ТО-263 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D ТО-252Б 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D ТО-252Б 30В 100А Специфікація пристрою DH033N03(1).pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку