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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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12V-300VNMOS

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 DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 PARA-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA PARA-252B 40V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG014N04N TO-220CPacote DSG014N04N PARA-220C 40V 200A DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
 DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A PARA-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Pacote DSG019N04L TO-220C DSG019N04L PARA-220C 40V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
47A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET TO-220C DHS180N10L PARA-220C 100 V 47A Especificação do dispositivo DHS180N10L.pdf
90A 150V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 PARA-220C 150 V 90A Especificação do dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 21A 100V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
21A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W PARA-247 650 V 21A DHSJ21N65W_Folha de dados_V1.0.pdf
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 60A 20V DH048N02B/DH048N02D
100A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 PARA-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
170A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 PARA-263 100 V 170A DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
160A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30V 160A Especificação do dispositivo DH020N03P.pdf
120A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 PARA-220C 40V 120A Especificação do dispositivo DH033N04.pdf
 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 PARA-220C 60V 145A Especificação do dispositivo DH045N06.pdf
180A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 PARA-220C 40V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+Folha de dados+V3.0.pdf
15A 100V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Especificação do dispositivo DH850N10.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA PARA-263 200 V 110A DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA PARA-220C 85 V 180A Dispositivo+DSG041N08NA+Especificação+Rev.1.0.pdf

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