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DH030N03

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
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Descrição

Esses MOSFETs de potência de aprimoramento de canal N usavam design avançado de tecnologia de vala, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.


Características

● baixa resistência

● Baixa carga do portão

● Comutação rápida

● Capacitâncias de transferência reversa baixa

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS

Aplicações

● Aplicativos de comutação de energia

● Sistema de gerenciamento de inversor

● Ferramentas elétricas

● Eletrônica automotiva


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