Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantitas: | |
Keterangan
Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Fitur
● Rendah pada resistensi
● Biaya gerbang rendah
● Pergantian cepat
● Kapasitansi transfer terbalik rendah
● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%
● Tes 100% ΔVDS
Aplikasi
● Aplikasi switching daya
● Sistem manajemen inverter
● Alat listrik
● Elektronik otomotif
Keterangan
Mode Peningkatan N-Channel ini Power MOSFET menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDson yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS.
Fitur
● Rendah pada resistensi
● Biaya gerbang rendah
● Pergantian cepat
● Kapasitansi transfer terbalik rendah
● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%
● Tes 100% ΔVDS
Aplikasi
● Aplikasi switching daya
● Sistem manajemen inverter
● Alat listrik
● Elektronik otomotif