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Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Cambio rápido
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
Aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Sistema de gestión de inversores.
● herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
Descripción
Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja.Lo cual cumple con el estándar RoHS.
Características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Cambio rápido
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
Aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de energía
● Sistema de gestión de inversores.
● herramientas eléctricas
● Electrónica automotriz
