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DH030N03

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.
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Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht.


Merkmale

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

Anwendungen

● Leistungsschaltanwendungen

● Wechselrichter-Managementsystem

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik


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