DH030N03

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.

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Description du produit

Description

Ces mosfets de puissance en mode d'amélioration du canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille.Ce qui est conforme à la norme RoHS.

Caractéristiques

● Faible résistance

● Faible charge de porte

● Commutation rapide

● Faibles capacités de transfert inverse

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS

Applications

● Applications de commutation de puissance

● Système de gestion de l'onduleur

● Outils électriques

● Electronique automobile

DH030N03

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