未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted » MOSFET » 12V-300V N MOS
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

12V-300V N MOS

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
35A 120V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Seade+DSD270N12N3+Spetsifikatsioon+Rev.1.0.pdf
49A 80V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Seadme DH116N08 spetsifikatsioon.pdf
320A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Seadme DH012N03 spetsifikatsioon.pdf
12A 100V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Seadme DH850N10D spetsifikatsioon (1).pdf
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
140A 40V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Seadme DHP035N04 spetsifikatsioon.pdf
30A 60V N-kanali laiendusrežiim Toide MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Seadme DHZ24B31 spetsifikatsioon.pdf
25A 100V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 KUNI -220C 30V 150A Seadme DH025N03 spetsifikatsioon.pdf
47A 100 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Seadme DH135N10P spetsifikatsioon.pdf
40A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Seadme DH025N03P spetsifikatsioon(1)(1).pdf
50A 120V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Seadme DH150N12 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Seadme DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 KUNI -220C 85V 120A Seadme DHS045N88 spetsifikatsioon-Rev.1.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Seadme DHS045N88 spetsifikatsioon-Rev.1.0.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Seadme DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 68A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 110A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Seadme DHS052N10 spetsifikatsioon.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Seadme DH8004 spetsifikatsioon (2).pdf
170A 30V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com