未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » Mosfet » 12V-300V N MOS » n-kanali täiustusrežiimi Power Mosfet 68a 100V DH140N10F TO-220F

laadimine

Jagage:
Facebooki jagamisnupp
Twitteri jagamise nupp
ridade jagamise nupp
WeChati jagamisnupp
LinkedIni jagamisnupp
Pinteresti jagamisnupp
WhatsApi jagamisnupp
ShareThise jagamisnupp

N-kanali suurendamise režiimi võimsus MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100 V
Kättesaadavus:
kogus:
Küsima Lisage korvi

N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V


1 kirjeldus 

Need N-kanali lisamisrežiimi võimsus MOSFETS kasutasid täiustatud kraavi tehnoloogia disainilahendust, pakkusid suurepärast RDSON-i ja madala värava laadimist. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 


2 funktsiooni 

● Madal takistus

● Madala väravatasu 

● Kiire vahetamine 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti

● 100% ΔVDS -test 


3 rakendust 

● Toitelülitusrakendused 

● Inverteri haldussüsteem

● Elektrilised tööriistad

● Autotööstuse elektroonika


VDSS RDS (ON) (tüüp) Isikutunnistus
100 V 11mΩ 68a


Eelmine: 
Järgmine: 
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 68A 100V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com