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N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 68 A 100 V DH140N10F TO-220F

N-Kanal-Enhancement-Mode-Leistungs-MOSFET 68 A 100 V
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N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 68 A 100 V


1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 11mΩ 68A


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