N-kanavainen tehostustila MOSFET 68A 100V
1 Kuvaus
Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
● Alhainen vastus
● Matala portin lataus
● Nopea vaihto
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS-testi
3 Sovellukset
● Virrankytkentäsovellukset
● Invertterin hallintajärjestelmä
● Sähkötyökalut
● Autoelektroniikka
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 100V |
11mΩ |
68A |