20A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS400N10D TO-252B

20A 100V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET

1 Popis

Tyto výkonové mosfety v režimu N-kanálového vylepšení využívaly pokročilý design technologie výkopu, poskytovaly vynikající Rdson a nízký náboj brány. Což odpovídá standardu RoHS. 

2 Vlastnosti 

● Nízký odpor

● Nízký poplatek za bránu 

● Rychlé přepínání 

● Nízké zpětné přenosové kapacity 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test

● 100% test ΔVDS 

3 Aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení 

● Systém řízení měniče 

● Elektrické nářadí 

● Automobilová elektronika

VDSS	RDS(zapnuto)(TYP)	ID	Balík
100V	45 mΩ	20A	TO-252B