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20A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET DHS400N10D bis 252B

20A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
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20A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung


Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● Inverter -Management -System 

● Elektrowerkzeuge 

● Automobilelektronik


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS Paket
100V 45m Ω 20a To-252b


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